文稿：王冰冰 | 摄影：周华阳
2024年3月25日下午，由beat365团委、研究生会和中国计算机学会CCF广西大学学生分会共同主办的 “我院讲坛”系列活动第14期学术报告会在学院一楼报告厅举行。本次活动邀请了华中科技大学的王智强教授以“碳化硅(SiC)功率模块在高温高功率密度应用中的技术挑战与探索”为题，开展了一场精彩的专家学术报告会。
会议伊始，王智强教授给予会师生介绍华中科技大学电气与电子工程学院、宽禁带电力电子创新团队、功率半导体的纵向环节研究以及800m2国内一流的功率半导体封装集成与电力电子技术研究实验室等情况，并运用通俗的事例形象地说明电力电子技术的原理，介绍半导体材料对于电力电子变换器效率提升的重要性，讲述了半导体材料最新的发展现状以及遇到的现实难题。
图1 王智强教授报告现场
接着，王智强教授向我们介绍了有关碳化硅（SiC）功率半导体模块相对传统Si模块具有全面的性能优势（耐压等级更高、开关损耗更小、工作结温更高等），在多电飞机、电动汽车等高温高功率应用中具有广阔前景。然而，这些应用的发展对SiC功率模块提出了越来越高的技术挑战，如耐受更高环境温度、更小的体积和重量、更高的可靠性。针对这些挑战，王教授从SiC功率模块封装集成角度介绍相关前沿技术探索，包括高温SiC功率模块封装集成、低感SiC功率模块封装、SiC功率模块快速短路保护等技术方向做了具体阐述。
图2 王智强教授介绍低感封装结构
最后，同学们围绕王智强教授的报告内容，提出自己的问题跟王教授请教交流。活动现场精彩热烈，同学们收获满满。
图3 在场师生认真聆听讲座
图4现场同学积极提问（1）
图5 现场同学积极提问（2）
图6 现场同学积极提问（3）
图7 现场同学积极提问（4）
